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MURATA CRYSTAL CO.LTD

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通讯设备专业晶振X1G005231001300压控温补晶体振荡器

2022-09-23 14:05:16 康华尔电子

爱普生晶振TG5032CGN和TG5032SGN具有超高稳定性CMOS输出和使用晶体基振的削波正弦波输出形式。具有低相位噪声,TCXO和VCXO的共同优点,温补晶体振荡器(TCXO)和压控晶体振荡器(VCXO)结合的产物,性价比高,频率温度稳定度极好,温度适应能力强,可在宽温下稳定工作。TG5032CGN和TG5032SGN可提供10MHz至40MHz的频率,具有超高输出稳定性,其频率容差仅为±1.0X10-6;同时,频率受环境温度、负载和电压的影响均超小,在工作温度(标准)范围内,其频率/温度特性仅为±0.10X10-6,且内置的温度补偿功能,可有效抵抗晶振本身及外部环境的温度变化,保证频率输出稳定性。

因此,TG5032CGN和TG5032SGN有源晶体均适用于对频率稳定性有高要求的应用场景。TG5032CGN和TG5032SGN系列VC-TCXO晶振的工作电压范围宽泛,非常适用于低电压系统的设计,使得用户在有更多的选择性,可用于常见的3.3V、5V电路设计,由于这种晶振具有较高的频率稳定度,而且体积小,在小电流下能够快速启动,在低电压系统中被广泛应用通讯设备晶振,工业控制,消费电子,智能安防,物联网,车载电子,光电技术及各种变频调速设备等通讯设备。

通讯设备专业晶振X1G005231001300压控温补晶体振荡器

产品编码 型号 频率 尺寸 输出波 电源电压 精度 工作温度
X1G005231000400 TG5032CGN 20.000000MHz 5.00x3.20x1.45mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0ppm -40 to ++85 °C
X1G005231000500 TG5032CGN 24.576000MHz 5.00x3.20x1.45mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0ppm -40 to ++85 °C
X1G005231000900 TG5032CGN 25.000000MHz 5.00x3.20x1.45mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0ppm -40 to ++85 °C
X1G005231001000 TG5032CGN 24.576000MHz 5.00x3.20x1.45mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0ppm -40 to ++85 °C
X1G005231001100 TG5032CGN 25.000000MHz 5.00x3.20x1.45mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0ppm -40 to ++85 °C
X1G005231001200 TG5032CGN 12.800000MHz 5.00x3.20x1.45mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0ppm -40 to ++85 °C
X1G005231001300 TG5032CGN 20.000000MHz 5.00x3.20x1.45mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0ppm -40 to ++85 °C
X1G005231001500 TG5032CGN 20.000000MHz 5.00x3.20x1.45mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0ppm -40 to ++85 °C
X1G005231001600 TG5032CGN 25.000000MHz 5.00x3.20x1.45mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0ppm -40 to ++85 °C
X1G005231001700 TG5032CGN 10.000000MHz 5.00x3.20x1.45mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0ppm -40 to ++85 °C
X1G005231001900 TG5032CGN 10.000000MHz 5.00x3.20x1.45mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0ppm -40 to ++85 °C
X1G005231002000 TG5032CGN 10.000000MHz 5.00x3.20x1.45mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0ppm -40 to ++85 °C
X1G005231002300 TG5032CGN 25.000000MHz 5.00x3.20x1.45mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0ppm -40 to ++85 °C
X1G005231002500 TG5032CGN 10.000000MHz 5.00x3.20x1.45mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0ppm -40 to ++85 °C
X1G005231002600 TG5032CGN 40.000000MHz 5.00x3.20x1.45mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0ppm -40 to ++85 °C
X1G005231002700 TG5032CGN 40.000000MHz 5.00x3.20x1.45mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0ppm -40 to ++85 °C
X1G005231002800 TG5032CGN 20.000000MHz 5.00x3.20x1.45mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0ppm -40 to ++85 °C
X1G005231002900 TG5032CGN 40.000000MHz 5.00x3.20x1.45mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0ppm -40 to ++85 °C
X1G005231003000 TG5032CGN 38.880000MHz 5.00x3.20x1.45mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0ppm -40 to ++85 °C
X1G005231003100 TG5032CGN 38.880000MHz 5.00x3.20x1.45mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0ppm -40 to ++85 °C

TG5032CGN,TG5032SGN-1

产品编码 振荡器 频率 尺寸 输出波 电源电压 精度 工作温度
X1G005241000200 TG5032SGN 19.200000MHz 5.00x3.20x1.45mm Clipped sine wave 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005241000300 TG5032SGN 25.000000MHz 5.00x3.20x1.45mm Clipped sine wave 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005241000400 TG5032SGN 40.000000MHz 5.00x3.20x1.45mm Clipped sine wave 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005241000700 TG5032SGN 10.000000MHz 5.00x3.20x1.45mm Clipped sine wave 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005241000800 TG5032SGN 26.000000MHz 5.00x3.20x1.45mm Clipped sine wave 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005241000900 TG5032SGN 19.200000MHz 5.00x3.20x1.45mm Clipped sine wave 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005241001000 TG5032SGN 19.200000MHz 5.00x3.20x1.45mm Clipped sine wave 2.700 to 3.000 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005241001200 TG5032SGN 19.200000MHz 5.00x3.20x1.45mm Clipped sine wave 2.700 to 3.000 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005241001300 TG5032SGN 40.000000MHz 5.00x3.20x1.45mm Clipped sine wave 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005241001400 TG5032SGN 10.000000MHz 5.00x3.20x1.45mm Clipped sine wave 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005241001500 TG5032SGN 26.000000MHz 5.00x3.20x1.45mm Clipped sine wave 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C

通讯设备专业晶振X1G005231001300压控温补晶体振荡器

爱普生TG5032CGN和TG5032SGN压控温补晶振差别在于输出模式,TG5032CGN采用CMOS输出,TG5032SGN则采用削波正弦波输出,设计者可根据应用需要进行合理选型。另外,两者均采用小尺寸封装,外部尺寸仅为5.0x3.2x1.45mm贴片晶振,非常节省空间,便于设计与使用,适用于包括紧凑型系统的参考时钟、Stratum3、超小型蜂窝基站和网络系统等应用领域



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