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SiT1532AI-J4-D14-32.768Q,1508mm,32.768KHz,SiTime品牌

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产品简介

SiT1532AI-J4-D14-32.768Q,1508mm,32.768KHz,SiTime品牌美国进口晶振,SiTime可编程晶振,型号SiT1532,编码为:SiT1532AI-J4-D14-32.768Q,工业温度范围:-40℃至+85℃,频率稳定性:±100ppm,频率为:32.768KHz,小体积晶振尺寸:1.5x0.8mm。SiT1532是世界上最小、最低功率的32.768kHz石英晶体振荡器,为移动设备和其他电池驱动的应用程序进行了优化。SiTime的硅MEMS技术能够实现最小的足迹和芯片规模的封装。与现有的2.0x1.2mm SMD XTAL软件包相比,该设备减少了32kHz的内存占用高达85%。与XTALs不同,SiT1532振荡器输出支持更大的组件放置灵活性,并消除了外部负载电容器,从而节省了额外的组件计数和板空间。与标准振荡器不同的是,贴片晶振SiT1532的特点是纳米驱动器Drive?,这是一种工厂可编程输出,可以降低电压摆动以最小化功率。应用于:智能手机,平板电脑,健康和健康监视器,健身手表,运动视频摄像头,无线键盘,超小笔记本电脑,每秒脉冲(pps)计时,RTC参考时钟,电池管理计时等应用。

产品详情

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SiT1532AI-J4-D14-32.768Q,1508mm,32.768KHz,SiTime品牌美国进口晶振,SiTime可编程晶振,型号SiT1532,编码为:SiT1532AI-J4-D14-32.768Q,工业温度范围:-40℃至+85℃,频率稳定性:±100ppm,频率为:32.768KHz,小体积晶振尺寸:1.5x0.8mm。SiT1532是世界上最小、最低功率的32.768kHz石英晶体振荡器,为移动设备和其他电池驱动的应用程序进行了优化。SiTime的硅MEMS技术能够实现最小的足迹和芯片规模的封装。与现有的2.0x1.2mm SMD XTAL软件包相比,该设备减少了32kHz的内存占用高达85%。与XTALs不同,SiT1532振荡器输出支持更大的组件放置灵活性,并消除了外部负载电容器,从而节省了额外的组件计数和板空间。与标准振荡器不同的是,贴片晶振SiT1532的特点是纳米驱动器Drive™,这是一种工厂可编程输出,可以降低电压摆动以最小化功率。应用于:智能手机,平板电脑,健康和健康监视器,健身手表,运动视频摄像头,无线键盘,超小笔记本电脑,每秒脉冲(pps)计时,RTC参考时钟,电池管理计时等应用。

SiT1532AI-J4-D14-32.768Q,1508mm,32.768KHz,SiTime品牌,产品特点:

芯片级最小占地面积(CSP):1.5x0.8mm
固定32.768 kHz有源晶振
<10 ppm频率容差,超低功率:<1µA
直接与XTAL输入接口
支持币形电池或超级电池备用电压
VVdd供电范围:-40°C至+85°C时为1.5 V至3.63 V
振荡器输出消除了外部负载上限
内部滤波消除了外部Vdd旁路帽
NNanoDrive™最低功率的可编程输出摆动
无铅,符合RoHS和REACH

Japan2SiT1532AI-J4-D14-32.768Q,1508mm,32.768KHz,SiTime品牌,参数表

Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Condition
FrequencyandStability
FixedOutputFrequency Fout 32.768 kHz
FrequencyStability
FrequencyTolerance[1] F_tol 10 ppm TA=25°C,postreflow,Vdd:1.5V3.63V
20 ppm TA=25°C,postreflowwithboard-levelunderfill,
Vdd:1.5V3.63V
FrequencyStability[2] F_stab 75 ppm TA=-10°Cto+70°C,Vdd:1.5V3.63V
100 TA=-40°Cto+85°C,Vdd:1.5V3.63V
250 TA=-10°Cto+70°C,Vdd:1.2V1.5V
25°CAging -1 1 ppm 1stYear
SupplyVoltageandCurrentConsumption
OperatingSupplyVoltage Vdd 1.2 3.63 V TA=-10°Cto+70°C
1.5 3.63 V TA=-40°Cto+85°C
CoreOperatingCurrent[3] Idd 0.9 μA TA=25°C,Vdd:1.8V.Noload
1.3 TA=-10°Cto+70°C,Vddmax:3.63V.

Noload

1.4 TA=-40°Cto+85°C,Vddmax:3.63V.

Noload

OutputStageOperatingCurrent[3] Idd_out 0.065 0.125 μA/Vpp TA=-40°Cto+85°C,Vdd:1.5V-3.63V.Noload
Power-SupplyRamp t_Vdd 100 ms VddRamp-upfrom0to90%,TA=-40°Cto+85°C
Ramp
Start-upTimeatPower-up[4] t_start 180 300 ms TA=-40°CTA+50°C,validoutput
450 TA=+50°C<TA+85°C,validoutput
OperatingTemperatureRange
CommercialTemperature T_use -10 70 °C
IndustrialTemperature -40 85 °C

Japan3SiT1532AI-J4-D14-32.768Q,1508mm,32.768KHz,SiTime品牌,尺寸图

SiT1532 1508 32.768K OSC

SiT1532

SiT1532-1

SiT1532A.1508

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