OXETGLJANF-24.576000,3225mm,24.576MHz,CMOS,Taitien晶振

OXETGLJANF-24.576000,3225mm,24.576MHz,CMOS,Taitien晶振，台湾TAITIEN晶振，泰艺晶振，型号：OX系列晶振，编码为：OXETGLJANF-24.576000，频率：24.576MHz，电源电压：2.8V ~ 3.3V，频率稳定性：±50ppm，工作温度范围：-40℃至+85℃，小体积晶振尺寸：3.2x2.5mm，四脚贴片晶振，石英晶振，CMOS输出晶振，XO有源晶振，3225晶振，石英晶体振荡器，SMD晶振。具有超小型晶振，轻薄型晶振，高可靠性晶振，高品质晶振，高质量晶振，耐热及耐环境等特点。通常用于实时时钟应用，移动电话晶振，DSC、机顶盒晶振、HDTV，汽车导航系统等应用。

OXETGLJANF-24.576000,3225mm,24.576MHz,CMOS,Taitien晶振，产品特点：

-紧密对称（45%至55%）可用
-工作电压：1.8V、2.5V、3.3V石英晶振
-三态启用/禁用
-内置ASIC可降低电流消耗

OXETGLJANF-24.576000,3225mm,24.576MHz,CMOS,Taitien晶振,参数表

Parameter									3.3V 2.5V 1.8V												Unit
									Min.		Max.		Min. Max.				Min. Max.
Supply Voltage Variation (VDD)									VDD-10%		VDD+10%		VDD-10%		VDD+10%		VDD-10%			VDD+10%	V
Supply Current(@ 15pF load)									-		120		-		120		-			120	μA
(@ no load)									-		80		-		80		-			80	μA
Duty Cycle									45		55		45		55		45			55	%
Output Level (CMOS)Output High (Logic “1”)									2.97		-		2.25		-		1.62			-	V
Output Low (Logic “0”)									-		0.33		-		0.25		-			0.18
Transition Time:Rise/Fall Time+									-		50		-		50		-			50	nSec
Start Time									-		2		-		2		-			2	mSec
Tri-State(Input to Pin 1)Enable (High voltage or oating)									2.31		-		1.75		-		1.26				V
Disable (Low voltage or GND)									-		0.99		-		0.75		-			0.54
Aging (@25℃ 1styear)									-		±3		-		±3		-			±3	ppm
Storage Temp. Range									-55		125		-55		125		-55			125	℃

OXETGLJANF-24.576000,3225mm,24.576MHz,CMOS,Taitien晶振,尺寸图