SiTime晶振,SiT1572AI-J3-33E-DCC-32.768Q,1508mm,LVCMOS

SiTime晶振,SiT1572AI-J3-33E-DCC-32.768Q,1508mm,LVCMOS，美国进口晶振，SiTime可编程晶振，型号SiT1572，编码为：SiT1572AI-J3-33E-DCC-32.768Q，工业温度范围：-40℃至+85℃，频率稳定性：±50ppm，电压：3.3V，LVCOMS输出晶振，频率：32.768KHz，小体积晶振尺寸：1.5x0.8mm，四脚贴片晶振，SiT1572是一个超小，微功率，32.768 kHz振荡器在一个CSP-4包。在无负载条件下的典型供电电流为4.5µA。SiTime的MEMS振荡器由一个MEMS谐振器和一个可编程模拟电路组成。SiT1572 MEMS谐振器是建立与SiTime的独特的MEMS第一®工艺。一个关键的制造步骤是EpiSeal®，在此期间MEMS谐振器在温度超过1000°C。EpiSeal®创造了一个非常强大，清洁的真空室，封装了MEMS谐振腔，并确保最佳的性能和可靠性。在EpiSeal®期间，一个聚硅帽生长在谐振腔的顶部，这消除了额外的帽晶圆或其他外来包装的需要。因此，SiTime的MEMS谐振器模可以像任何其他半导体模一样使用。SiTime的MEMS第一和EpiSeal®的制造过程的一个独特结果是，能够将SiTime的MEMS模具与SoC、ASIC、微处理器或模拟模具集成在一个包中，以消除外部定时组件，并为客户提供高度集成、更小、经济有效的解决方案。有源晶振，应用程序：健康和健康监测器，无线连接睡眠时钟，ULP输入设备，RTC参考时钟。

SiTime晶振,SiT1572AI-J3-33E-DCC-32.768Q,1508mm,LVCMOS，产品特点：

32.768k晶振 µpower 振荡器
±10 PPM初始公差，±50 ppm超过温度
最小足迹： 1.2 mm2，1.5 x 0.8毫米CSP
不需要外部旁路帽，输出驱动多个负载和消除离散XTAL
改进稳定性降低系统功率与更少的网络计时更新
超低功率： 4.5µA
电源电压范围： 1.62 V到3.63 V
工作温度范围：-40°C到+85°C
Pb-free，RoHS和达到兼容

SiTime晶振,SiT1572AI-J3-33E-DCC-32.768Q,1508mm,LVCMOS,参数表

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Unit	Condition
Frequency andStability
Output Frequency	FOUT		32.768		kHz
Total Frequency Stability[1]	F_stab	-10	1	10	ppm	TA = 25°C
		-50		50	ppm	TA = -40°C to +85°C
First Year Frequency Aging	F_aging		±1		ppm	TA = 25°C
Jitter Performance
PeriodJitter	PJ		2.5	4	nsRMS	Cycles = 10,000, Per JEDEC standard 65B
Supply Voltage and Current Consumption
Operating Supply Voltage	Vdd	1.62	1.8	3.63	V
No Load SupplyCurrent	ldd		4	5.3	µA	Vdd = 1.8 V
Start-up Time at Power-up	t_start		135	300	ms	Measured when supply reaches 90% of final Vdd, to the first output pulse
Operating Temperature Range
Operating TemperatureRange	Op_Temp	-40		85	°C
LVCMOS Output
Output Rise/FallTime	tr, tf		9	20	ns	10-90% (Vdd), 15 pF Load
Output Clock DutyCycle	DC	45		55	%
Output Voltage High	VOH	90%			Vdd	IOH= -1 μA
Output Voltage Low	VOL			10%	Vdd	IOL = 1 μA

SiTime晶振,SiT1572AI-J3-33E-DCC-32.768Q,1508mm,LVCMOS,尺寸图