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SiTime新的Endura超级TCXO构建了航空航天和国防的精确计时

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浏览:- 发布日期:2024-01-20 17:26:24【
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SiTime新的Endura超级TCXO构建了航空航天和国防的精确计时

新的Endura超级TCXO重新构建了航空航天和国防的精确计时,可靠性提高了100倍


通过加固、易于设计的MEMS时序提升数据网络性能

世界各地的武装部队正面临着越来越复杂的威胁,并正在积极实施能够更快发现和应对这些威胁的先进系统。数据网络是这些新兴系统的支柱。为了在动态环境中实现最高的操作性能,当今先进的航空航天和国防通信及网络系统依赖加固的精确计时技术来同步数据流的准确性和可靠性。

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军方依靠在动态地面、海军和空中行动中收集的大量数据,正在实施大规模云计算、大数据分析、人工智能和机器学习基础设施,以加快威胁检测和响应。在高速数据传输中,对时钟漂移的容忍度越来越小,使得时钟稳定性变得更加重要。精确计时对于同步无误数据的发送和接收至关重要,它可以在极端温度、加速度、振动或冲击等恶劣工作环境下最大限度地减少时钟信号漂移。

Endura加固型MEMS Super-TCXO已准备就绪

为了满足这些关键任务要求,SiTime为其经现场验证的Endura MEMS加固型超级TCXO振荡器系列增加了一名新成员SiT5543。这款温控振荡器重新定义了航空航天和国防领域的TCXO格局,在充满挑战的环境中具有无与伦比的稳定性。SiTime是新的SiT5543超级TCXO在-40°C至95°C的温度范围内提供前所未有的5 ppb频率稳定性。此外,在快速温度瞬变期间,频率斜率为0.3ppb/°C,在振动条件下,加速度灵敏度为0.01ppb/g。目前,还没有稳定性优于100ppb的石英基商用TCXOs。与公开市场的石英TCXOs相比,SiT5543在温度范围内的频率稳定性提高了20倍,令人印象深刻。

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SiT5543 – Frequency stability ±5 ppb up to 95°C
在-40°C至95°C温度范围内,四个SiT5543超TCXO dut的频率稳定性测量值在5 ppb规格范围内,显示出出色的器件间可重复性。

在SiTime Super-TCXOs问世之前,设计人员不得不使用恒温石英振荡器(OCXO)来实现5 ppb的频率稳定性。使用石英OCXO有几个缺点。众所周知,它们价格昂贵、体积庞大、易碎、耗电量大且交付周期长。SiT5543克服了这些问题,为加固系统的设计人员提供了一个非常好的选择。与石英ocxo相比,SiT5543有源晶振的可靠性高100倍、功耗低2倍、尺寸小40%,是OCXO在高速数据通信、军事网络和航空电子等应用中的理想替代品。

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SiTime Endura™ Super-TCXO: 100x more reliable, 2x lower power, 40% smaller size
SiT5543超级TCXO尺寸为7 x 5 mm,高度为2 mm,与同类石英OCXOs相比,具有更高的可靠性、更低的功耗和更小的尺寸。

SiT5543超级TCXO振荡器显著降低了误码率、系统尺寸和功耗,同时增强了在恶劣工作条件下的可靠性和操作性能。这款基于MEMS的超级TCXO的技术规格使安全、时序相关的加密技术达到了一个新的水平,可以保护军用无线电、GPS接收机、导航和制导系统免受干扰。这种Endura超级TCXO提供了构成当今航空航天和国防系统主干的高速网络所需的温度和振动稳定性。与传统石英替代产品相比,MEMS技术具有出色的稳定性,因此可以降低风险、周期时间和成本,满足苛刻的操作要求。

硅MEMS定时技术是强大的使能器

SiT5543 Endura超级TCXO旨在提供卓越的动态性能。作为SiT5543石英晶振的核心,MEMS谐振器采用高纯度硅,使其能够利用MEMS时序技术的诸多优势,在气流、温度扰动、振动、冲击和电磁干扰等环境压力下提供最可靠的时序。MEMS谐振器封装在低真空、无颗粒的空腔中,其设计和制造工艺实现了极低的老化和高可靠性。

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DualMEMS device architecture
SiT5543基于双MEMS架构构建,由安装在混合信号CMOS IC顶部的两个MEMS组成,在整个温度范围内和快速温度瞬变期间具有出色的稳定性。

SiT5543使用SiTime的双MEMS®技术其中两个MEMS谐振器配置在单个管芯上。其中一个谐振器针对超稳定的温度稳定性进行了优化,而另一个谐振器针对用于温度补偿的温度检测进行了优化。这导致频率在整个温度范围内接近线性稳定。SiT5543提供0.3ppb/°C的典型频率斜率(dF/dT)。这种设计还能降低随机噪声,并在10秒平均时间内提供1.5e-11 ADEV的稳定性。MEMS谐振器的结构及其极低的质量使其能够抵抗冲击和振动,提供出色的0.01ppb/g加速度灵敏度(业界最佳)和20.000g抗冲击能力。

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SiT5543 – Temperature slope dF/dT is less than 0.3 ppb/°C
SiT5543超级TCXO的测量频率与温度斜率(dF/dT)在0.3 ppb/°C(典型值)规格范围内。

SiT5443超级TCXO由于其7mmx5mm贴片晶振的小型表面贴装尺寸、低2mm的高度、低功耗要求以及减轻恶劣工作条件影响的独特能力,降低了设计成本和复杂性。由于它是工厂可编程的,支持1至60MHz的输出频率,因此消除了定制振荡器的高成本、风险和延迟。SiT5543可与I2C数字控制一起用于动态频率调谐或在线用户定义补偿。数字控制提供对噪声不敏感的频率调节和平滑的频率偏移。85°C时的额定20年老化率为150 ppb,因此无需系统级老化补偿。

SiT5543 MEMS超级TCXO石英晶体振荡器采用世界一流的半导体工艺制造,具有统计过程控制和6-sigma规格限制,以确保它们开箱即可可靠运行并满足实验室和现实世界的规格要求。

总之,SiT5443能够实现更快、低延迟的数据传输,并降低动态环境中的误码率。系统设计人员不再需要使用昂贵、笨重的定制OCXOs,这些OCXOs对加速度、冲击和振动高度敏感。

Endura SiT5543超级TCXO集锦

  • 1至60MHz可编程输出频率
  • -40°C至+95°C温度范围内的稳定性为5ppb
  • 0.3ppb/°C温度斜率稳定性
  • 0.01ppb/g加速度灵敏度
  • 每日老化0.5ppb/天
  • 150 ppb老化时间超过20年
  • 2秒钟达到温度范围内的最终稳定性
  • 带I2C的可选3200ppm数字控制
  • 20.000g抗冲击能力
  • 典型值110mW。2.5V电源下的功耗
  • 2.5至3.3V电源电压
  • 7.0毫米x 5.0毫米陶瓷表贴封装
Device Frequency Stability(ppm) Output Type Supply Voltage(V) Temp. Range(°C) Package Size(mm)
SiT5155 12 standard frequencies ±0.5 LVCMOSClipped sinewave 2.52.833.3 -20 to +70-40 to +85-40 to +105 5.0 x 3.2 10-pin
SiT5156 1 to 60 MHz ±0.5±1±2.5 LVCMOSClipped sinewave 2.52.833.3 -20 to +70-40 to +85-40 to +105 5.0 x 3.2 10-pin
SiT5157 60 to 220 MHz ±0.5±1±2.5 LVCMOS 2.52.833.3 -20 to +70-40 to +85-40 to +105 5.0 x 3.2 10-pin
SiT5356 1 to 60 MHz ±0.1±0.2±0.25 LVCMOSClipped sinewave 2.52.833.3 -20 to +70-40 to +85-40 to +105 5.0 x 3.2 10-pin
SiT5357 60 to 220 MHz ±0.1±0.2±0.25 LVCMOS 2.52.833.3 -20 to +70-40 to +85-40 to +105 5.0 x 3.2 10-pin
SiT5358 1 to 60 MHz ±0.05 LVCMOSClipped sinewave 2.52.83.03.3 0 to +70-20 to +70-40 to +85-40 to +105 5.0 x 3.2 10-pin
SiT5359 60 to 220 MHz ±0.05 (±50 ppb) LVCMOS 2.52.83.03.3 0 to +70-20 to +70-40 to +85-40 to +105 5.0 x 3.2 10-pin
SiT5376 1 to 60 MHz ±0.1±0.2±0.25 LVCMOSClipped Sinewave 1.82.52.83.03.3 -20 to 70-40 to +85-40 to +105 5.0 x 3.5 10-pin
SiT5377 60 to 220 MHz ±0.1±0.2±0.25 LVCMOS 1.82.52.83.03.3 -20 to 70-40 to +85-40 to +105 5.0 x 3.5 10-pin
SiT5501 1 to 60 MHz ±0.01 (±10 ppb)±0.02 (±20 ppb) LVCMOSClipped sinewave 2.52.83.03.3 -40 to +85-40 to +105 7.0 x 5.0 10-pin
SiT5503 1 to 60 MHz ±0.005 (±5 ppb) LVCMOSClipped sinewave 2.52.83.03.3 -20 to +70-40 to +85-40 to +95 7.0 x 5.0 10-pin




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