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EPSON物联网6G晶振,X1G0058810002,SG2520EGN低相位噪声振荡器

频率:156.250000 MHz

尺寸:2.5x2.0x0.84mm

EPSON物联网6G晶振,X1G0058810002,SG2520EGN低相位噪声振荡器日本进口晶振,EPSON爱普生晶振,型号SG2520EGN编码为:X1G0058810002,频率:156.250000 MHz小体积晶振尺寸为2.5x2.0x0.84mm,六脚贴片晶振,SPXO晶体振荡器,LV-PECL输出差分晶体振荡器有源晶振,石英晶振,具有低抖动,低功耗,低损耗,低相位噪声,低电源电压,低电平等特点,能够轻易识别网络信号以及精确的处理双极信号。用于:通讯设备,基站、光传输设备,服务器,物联网,路由器/交换机、无线网络,蓝牙模块,仪器仪表,机顶盒,光端机,光模块,以太网,安防设备及各种频率控制设备上。
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EPSON物联网6G晶振,X1G0058810002,SG2520EGN低相位噪声振荡器日本进口晶振,EPSON爱普生晶振,型号SG2520EGN编码为:X1G0058810002,频率:156.250000 MHz小体积晶振尺寸为2.5x2.0x0.84mm,六脚贴片晶振,SPXO晶体振荡器,LV-PECL输出差分晶体振荡器有源晶振,石英晶振,具有低抖动,低功耗,低损耗,低相位噪声,低电源电压,低电平等特点,能够轻易识别网络信号以及精确的处理双极信号。用于:通讯设备,基站、光传输设备,服务器,物联网,路由器/交换机、无线网络,蓝牙模块,仪器仪表,机顶盒,光端机,光模块,以太网,安防设备及各种频率控制设备上。

Japan2EPSON物联网6G晶振,X1G0058810002,SG2520EGN低相位噪声振荡器,参数表

Item Symbol Specifications
LV-PECL LVDS Conditions / Remarks
SG2016EGN SG2016VGN / SG2520VGN
/ SG2520EGN
Output frequency range fo 25 MHz to 500 MHz Please contact us for available frequencies.
Supply voltage VCC C: 3.3 V ± 5 % D: 2.5 V ± 5 % E: 1.8 V ± 5 %
Storage temperature T_stg -55 to +125
Operating temperature T_use G: -40 to +85, H: -40 to +105
Frequency tolerance f_tol D: ±25 × 10-6 Max. J: ±50 × 10-6 Max. Includes initial frequency tolerance, frequency /
temperature characteristics, frequency / voltage coefficient and 10 years aging (+25)
Current consumption 60 mA Max. OE or S?  T?   = VCC, L_ECL = 50 Ω
ICC 25 mA / 30 mA / 25 mA Max. 25 mA / – / 25 mA Max. 25 MHz ≤ fo < 212 MHz OE or S?  T?   = VCC, Output option: A / B / C
28 mA / 35 mA / 28 mA Max. 212 MHz ≤ fo < 392 MHz
28 mA / 35 mA / 30 mA Max. 392 MHz ≤ fo ≤ 500 MHz
Disable current I_dis 35 mA Max. 20 mA Max. OE = GND
Stand-by current I_std 30 μA Max. S?  T?   = GND, T_use Max. = +85
60 μA Max. S?  T?   = GND, T_use Max. = +105
Symmetry SYM 45 % to 55 % At output crossing point
Output voltage (LV-PECL) VOH VCC - 1.1 V Min. Output option: A, DC characteristic
VOL VCC - 1.5 V Max.
Differential swing VSW 0.8 V to 2.0 V 500 mV to   900 mV 500 mV to   900 mV Output option: A
800 mV to 1 600 mV Output option: B
600 mV to 1 200 mV 600 mV to 1 200 mV Output option: C
VOD 250 mV to   450 mV 250 mV to   450 mV Output option: A Differential output voltage, VOD1, VOD2
Output voltage (LVDS) 400 mV to   800 mV Output option: B
300 mV to   600 mV 300 mV to   600 mV Output option: C
dVOD 50 mV Max. dVOD = | VOD1 - VOD2 |
VOS 1.15 V to 1.35 V 0.65 V to 0.85 V Offset voltage, VOS1, VOS2
dVOS 50 mV Max. dVOS = | VOS1 - VOS2 |
Output load condition L_ECL 50 Ω Terminated to VCC - 2.0 V
L_LVDS 100 Ω Connected between OUT and  OUT
Input voltage VIH 70 % VCC Min. OE or S?  T?   terminal
VIL 30 % VCC Max.
Rise/Fall times tr/tf 0.35 ns Max. LV-PECL:  20 % - 80 % (VOH - VOL)
LVDS: 20 % - 80 % differential output peak to peak
Start-up time t_str 10 ms Max. t = 0 at 90 % VCC
Phase jitter tPJ 250 fs Max. 250 fs Max. 400 fs Max. 25 MHz ≤ fo < 100 MHz Offset frequency
90 fs Max. 100 fs Max. 130 fs Max. 100 MHz ≤ fo ≤ 156 MHz fo < 50 MHz:
70 fs Max. 60 fs Max. 70 fs Max. 156 MHz < fo ≤ 212 MHz 12 kHz to 5 MHz
60 fs Max. 50 fs Max. 60 fs Max. 212 MHz < fo ≤ 391 MHz fo ≥ 50 MHz:
50 fs Max. 391 MHz < fo ≤ 500 MHz 12 kHz to 20 MHz

Japan3EPSON物联网6G晶振,X1G0058810002,SG2520EGN低相位噪声振荡器,尺寸图

SG2520EGN , SG2520VGN,SG2016EGN,SG2016VGN,

EPSON物联网6G晶振,X1G0058810002,SG2520EGN低相位噪声振荡器

晶振,作为电子产品的心脏部分,为电路提供稳定,持续的时钟信号,我们可能并不陌生,但具体细分到普通晶振(单端),差分晶振可能大家就有些分不清楚了,尤其是差分晶振。
我们所谓的单端或差分,主要是指输出模式,单端一般是CMOS,TTL电平信号,只需要一根线输出就好了,优点是走线方便,但缺点也很明显,就是抗干扰能力差,不适合高速信号(100MHz以上)。
差分晶振一般是LVDS,LVPECL等信号,需要两根线输出。优点是抗干扰能力强,缺点是布线需要注意。
单端模式是不支持高速应用的,如:125MHz,200MHz及以上,主要原因以下三点:
(1),电平幅度大,信号高低电平之间的转换时间长,不适用于传输频率达到100MHz以上的信号
(2),输出信号为单端信号(一条线),传输路径易受到干扰,不利于长线传输
(3),功耗大,大家都知道TTL器件的静态功耗较大,即使静态功耗小的CMOS器件,由于电平摆幅宽,其动态功耗也偏大。
差分信号则是两条线传输,会输出一组振幅相同,相位相反的信号。而接收端则会根据两个信号的电压差值来判断逻辑状态,所以在高速通信中,差分信号的抗干扰特性是明显优于单端信号的。
差分晶振与普通晶振的区别:
1,首先是管脚封装不同,普通晶振是4脚,差分晶振是6脚贴片晶振
2,其次是输出信号不同,普通晶振是单端输出,差分晶振则是差分输出
3,应用场合不同,普通晶振用于低速(100MHz以下),差分晶振用于高速(100MHz以上)
4,抗干扰能力也不同,差分晶振的信号抗干扰能力明显要优于普通晶振
5,价格不同,差分晶振的价格要远高于普通晶振。

SG2016EGN,SG2016VGN SG2520EGN,SG2520VGN

SG2016EGN,SG2016VGN SG2520EGN,SG2520VGN -1

晶振料号 型号 频率 尺寸 输出方式 电源电压 工作温度
X1G0058810001 SG2520EGN 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LV-PECL 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C
X1G0058810002 SG2520EGN 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LV-PECL 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C
X1G0058810003 SG2520EGN 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LV-PECL 2.375 to 2.625 V -40 to 85 °C
X1G0058810005 SG2520EGN 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LV-PECL 3.135 to 3.465 V -40 to 105 °C
X1G0059010001 SG2520VGN 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C
X1G0059010002 SG2520VGN 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LVDS 1.710 to 1.890 V -40 to 85 °C
X1G0059010003 SG2520VGN 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LVDS 2.375 to 2.625 V -40 to 85 °C
X1G0059010004 SG2520VGN 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 105 °C
X1G0059010006 SG2520VGN 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LVDS 2.375 to 2.625 V -40 to 85 °C
X1G0059010007 SG2520VGN 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LVDS 1.710 to 1.890 V -40 to 105 °C
X1G0059010008 SG2520VGN 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LVDS 2.375 to 2.625 V -40 to 105 °C
X1G0059210001 SG2520EHN 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LV-PECL 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C
X1G0059410001 SG2520VHN 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C
X1G0059410002 SG2520VHN 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LVDS 2.375 to 2.625 V -40 to 85 °C
X1G0059410003 SG2520VHN 156.250000 MHz 2520晶振 LVDS 1.710 to 1.890 V -40 to 105 °C
X1G0059410004 SG2520VHN 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LVDS 1.710 to 1.890 V -40 to 85 °C
X1G0059410005 SG2520VHN 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 105 °C
X1G0059410006 SG2520VHN 155.520000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C
X1G0059410007 SG2520VHN 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LVDS 1.710 to 1.890 V -40 to 85 °C
X1G0059410008 SG2520VHN 174.703000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LVDS 2.375 to 2.625 V -40 to 85 °C
X1G0059410009 SG2520VHN 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LVDS 2.375 to 2.625 V -40 to 105 °C
X1G0059410010 SG2520VHN 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LVDS 3.135 to 3.465 V -40 to 85 °C
X1G0059410011 SG2520VHN 156.250000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LVDS 1.710 to 1.890 V -40 to 85 °C
X1G0059410603 SG2520VHN 400.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LVDS 2.970 to 3.465 V -40 to 85 °C
X1G0059410604 SG2520VHN 400.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LVDS 2.970 to 3.465 V -40 to 85 °C
X1G0059410605 SG2520VHN 467.529297 MHz 2.50 x 2.00 x 0.84 mm LVDS 1.710 to 1.890 V -40 to 85 °C

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