SiTime Crystal SiT1881 is an ultra-low power automotive-qualified 32-kHz oscillator (XO), designed for ±50 ppm operation up to 105°C. It is a programmable oscillator with a default frequency of 32.768 kHz with the ability to support 17 other frequencies from 1 Hz to 262.144 kHz. The SiT1881 XO is SiTime’s lowest power XO with a no-load current of only 490 nA. Furthermore, it eliminates any requirement for load capacitors and comes in a small 1.2 x 1.1 mm QFN package. This enables up to 75% smaller footprint compared to 2.0 x 1.2 mm SMD crystal. The SiT1881 can drive up to 100 pf of load, which provides additional system savings by eliminating multiple 32.768 kHz crystals in a design. This device also introduces an innovative new Reduced Swing technology to further minimize overall system power.

6G无线晶振SiT1881AE-L3-DCC-XX0-032.768S汽车用超低功耗32.768KHz可编程振荡器

Features ：

32.768 kHz 振荡器

AEC-Q100 Grade 2 

Frequency stability from ±50 ppm 

Contact SiTime for ±20 ppm option 

Small Oscillator Footprint: 1.32 mm2 ? 1.2 x 1.1 mm QFN 

Ultra-low power: 490 nA typical @ fout = 32.768 kHz 

Supply voltage: 1.14 V to 1.98 V  

Operating temperature range: from -40°C to +105°C

Pb-free, RoHS and REACH compliant

Applications ：

 Automotive Advanced Driver Assistance Systems 

 Automotive Infotainment Systems 

 Automotive Smart Mirrors

 Industrial Applications 

SiTime晶振SiT1881是一款符合汽车应用要求的超低功耗32.768kHz振荡器(XO )，工作温度最高可达105℃，工作频率为50 ppm，是一款可编程振荡器，默认频率为32.768kHz，支持1Hz至262.144kHz的17种其它频率。SiT1881 XO是SiTime功耗最低的XO，空载电流仅为490 nA。此外，它不需要任何负载电容，采用1.2 x 1.1 mm小型QFN封装。与2.0 x 1.2 mm SMD晶体相比，这使得尺寸缩小了75%。SiT1881可以驱动最高100 pf的负载，通过消除设计中的多个32.768 kHz晶体，进一步节省了系统成本。该器件还引入了创新的低摆幅技术，以进一步降低整体系统功耗。

6G无线晶振SiT1881AE-L3-DCC-XX0-032.768S汽车用超低功耗32.768KHz可编程振荡器

特点：
32.768KHz可编程晶振
AEC-Q100二级
频率稳定性为±50ppm
±20 ppm选项的触点SiTime
小型振荡器占地面积：1.32mm2，1.2x1.1毫米QFN
超低功率：490 nA典型@fout=32.768 kHz
电源电压：1.14 V至1.98 V
工作温度范围：-40°C至+105°C
无铅，符合RoHS和REACH标准
应用程序：汽车高级驾驶员辅助系统，汽车信息娱乐系统，汽车智能后视镜，工业应用

6G无线晶振SiT1881AE-L3-DCC-XX0-032.768S汽车用超低功耗32.768KHz可编程振荡器

特征：
工厂可编程至1 Hz
与固定的32.768 kHz XTALs相比，功耗显著降低
超低功耗:490 nA(典型值。)
延长电池寿命
工作电压低至1.14 V
支持纽扣电池或超级电容电池备份
减少摆动技术
低至0.6 V的可编程输出摆幅可最大限度降低功耗
小尺寸:1.2 x 1.1mm 有源晶体
与2012 SMD XTALs相比，节省了电路板空间
驱动高达100 pf的多个负载
一个SiT1811可以代替多个石英晶体
无负载或VDD滤波电容
消除任何外部电容，进一步减少电路板空间
消除依赖于负载的启动问题
-40°C至+105°C温度范围内的频率稳定性为50 ppm。范围
与石英晶体相比，稳定性更好
提高无线连接和RTC精度