Renesas有源晶振,4MA212500Z4AACTGI,高性能差分MEMS振荡器
频率：212.500MHZ
尺寸：5.0x3.2mm
Renesas有源晶振,4MA212500Z4AACTGI,高性能差分MEMS振荡器，进口晶振，Renesas瑞萨电子晶振，4MA系列晶振，编码为：4MA212500Z4AACTGI,，频率为：212.500MHZ，小体积晶振尺寸：5.0x3.2mm，六脚贴片晶振，高性能差分MEMS振荡器，LVDS输出差分晶体振荡器，有源晶振，石英晶体振荡器，石英晶振，无铅环保晶振，稳定性：± 50ppm，电源电压：3.3V，RMS相位抖动：0.6 ps典型（12k至20MHz），工作温度：- 40℃至+85°C。具有超小型，轻薄型，低抖动，低功耗，低相位噪声，低电源电压，低耗能，低损耗，低电平等特点。4MA系列差分晶体应用于：通讯设备，无线网络，蓝牙模块，物联网，车载控制器，医疗设备，数码电子，路由器，交换机，GPS定位，智能家居，数码电子等应用。
Renesas有源晶振,4MA212500Z4AACTGI,高性能差分MEMS振荡器，参数表
| Parameter | 2.5 V Specifications |
3.3 V Specifications |
Units | Conditions | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Min | Typ | Max | Min | Typ | Max | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Supply Voltage (VDD) | 2.375 | 2.50 | 2.625 | 2.97 | 3.30 | 3.63 | V | |
|||||||||||||||||||||||||||||||||
| Output Frequency | |
212.5 | |
212.5 | |
MHz | |
||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Frequency Stability | - 50 | + 50 | - 50 | |
+ 50 | ppm | Includes supply voltage and temperature variation (-40 to 85°C), reflow drift, and aging. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Supply Current | |
100 | |
|
105 | |
mA | No load | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Enable/Disable Time | |
|
1 | |
|
1 | us | Guaranteed by design | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Input LOW level | |
|
0.3VDD | |
|
0.3VDD | V | At OE pin | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Input HIGH level | 0. 7VDD | |
|
0. 7VDD | |
|
V | At OE pin | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Output LOW level | |
1.05 | |
|
1.05 | |
V | |
|||||||||||||||||||||||||||||||||
| Output HIGH level | |
1.40 | |
|
1.40 | |
V | |
|||||||||||||||||||||||||||||||||
| Amplitude(VA ) | |
0.35 | |
|
0.35 | |
V | Single Ended output swing (Pk-Pk) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Mid Level (VM) | |
1.22 | |
|
1.22 | |
V | |
|||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rise Time (TR) | |
390 | 460 | |
440 | 550 | ps | Maximum; 20/80% of VA; Output load (CL) = 2pF; Guaranteed by Char. | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Fall Time (TF) | |
390 | 460 | |
440 | 550 | ps | Maximum; 20/80% of VA; Output load (CL) = 2pF; Guaranteed by Char. | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Symmetry (SYM) | 48 | 50 | 52 | 48 | 50 | 52 | % | Worst case; measured at 50% of waveform | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Phase Jitter | |
0.7 | |
|
0.6 | |
ps | 12k to 20MHz, RMS; Measured Differentially | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Period Jitter | |
4.0 | |
|
4.0 | |
ps | RMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Cycle-to-Cycle Jitter | |
30 | |
|
30 | |
ps | 1,000 cycles, Peak | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Start-up Time | |
10 | |
|
10 | |
ms | Output valid time after power up, 25°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Aging | |
± 5 | |
|
± 5 | |
ppm | 25°C, 10 years |
|||||||||||||||||||||||||||||||||
Renesas有源晶振,4MA212500Z4AACTGI,高性能差分MEMS振荡器，尺寸图
Renesas有源晶振,4MA212500Z4AACTGI,高性能差分MEMS振荡器
差分晶振是普通贴片晶振所不能够达到的,差分晶振具有低电平,低抖动,低功耗等特性.差分晶振作为目前行业中高要求,高技术石英晶体振荡器,具有相位低,损耗低的特点,差分晶振使用于产品中能够很容易地识别小信号,能够从容精确地处理双级信号,对外部电磁干扰(EMI)是高度免疫的,差分石英晶振满足市场需求,实现高频高精度等要求,更加保障了各种系统参考时钟的可靠性.
| 晶振料号 | 品牌 | 描述 | 系列 |
| IDT4MA200000Z3AACUGI8 | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 200.0000MHZ LVPECL | 4MA |
| 4MA200000Z3AACTGI | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 200.0000MHZ LVPECL | 4MA |
| 4MA200000Z3AACTGI8 | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 200.0000MHZ LVPECL | 4MA |
| 4MA200000Z3AACUGI | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 200.0000MHZ LVPECL | 4MA |
| 4MA200000Z4AACTGI | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 200.0000MHZ LVDS SMD | 4MA |
| 4MA200000Z4AACTGI8 | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 200.0000MHZ LVDS SMD | 4MA |
| 4MA200000Z4AACUGI | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 200.0000MHZ LVDS SMD | 4MA |
| 4MA200000Z4AACUGI8 | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 200.0000MHZ LVDS SMD | 4MA |
| 4MA200000Z4BACTGI | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 200.0000MHZ LVDS SMD | 4MA |
| 4MA200000Z4BACTGI8 | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 200.0000MHZ LVDS SMD | 4MA |
| 4MA200000Z4BACUGI | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 200.0000MHZ LVDS SMD | 4MA |
| 4MA200000Z4BACUGI8 | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 200.0000MHZ LVDS SMD | 4MA |
| 4MA212500Z4AACTGI | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 212.5000MHZ LVDS SMD | 4MA |
| 4MA212500Z4AACTGI8 | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 212.5000MHZ LVDS SMD | 4MA |
| 4MA212500Z4BACTGI | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 212.5000MHZ LVDS SMD | 4MA |
| 4MA212500Z4BACTGI8 | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 212.5000MHZ LVDS SMD | 4MA |
| 4MA250000Z4AACTGI | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 250.0000MHZ LVDS SMD | 4MA |
| 4MA250000Z4AACTGI8 | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 250.0000MHZ LVDS SMD | 4MA |
| 4MA250000Z4BACTGI | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 250.0000MHZ LVDS SMD | 4MA |
| 4MA250000Z4BACTGI8 | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 250.0000MHZ LVDS SMD | 4MA |
| 4MA200000Z3BACTGI | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 200.0000MHZ LVPECL | 4MA |
| 4MA200000Z3BACTGI8 | 石英晶振 | MEMS OSC XO 200.0000MHZ LVPECL | 4MA |
| 4MA200000Z3BACUGI | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 200.0000MHZ LVPECL | 4MA |
| 4MA200000Z3BACUGI8 | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 200.0000MHZ LVPECL | 4MA |
| 4MA212500Z3AACTGI | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 212.5000MHZ LVPECL | 4MA |
| 4MA212500Z3AACTGI8 | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 212.5000MHZ LVPECL | 4MA |
| 4MA212500Z3AACUGI | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 212.5000MHZ LVPECL | 4MA |
| 4MA212500Z3AACUGI8 | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 212.5000MHZ LVPECL | 4MA |
| 4MA212500Z3BACTGI | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 212.5000MHZ LVPECL | 4MA |
| 4MA212500Z3BACTGI8 | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 212.5000MHZ LVPECL | 4MA |
| 4MA212500Z4AACUGI | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 212.5000MHZ LVDS SMD | 4MA |
| 4MA212500Z4AACUGI8 | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 212.5000MHZ LVDS SMD | 4MA |
| 4MA233333Z4AACTGI | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 233.3330MHZ LVDS SMD | 4MA |
| 4MA233333Z4AACTGI8 | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 233.3330MHZ LVDS SMD | 4MA |
| 4MA233333Z4AACUGI | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 233.3330MHZ LVDS SMD | 4MA |
| 4MA233333Z4AACUGI8 | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 233.3330MHZ LVDS SMD | 4MA |
| 4MA233333Z4BACTGI | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 233.3330MHZ LVDS SMD | 4MA |
| 4MA233333Z4BACTGI8 | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 233.3330MHZ LVDS SMD | 4MA |
| 4MA233333Z4BACUGI | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 233.3330MHZ LVDS SMD | 4MA |
| 4MA233333Z4BACUGI8 | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 233.3330MHZ LVDS SMD | 4MA |
| 4MA250000Z3AACTGI | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 250.0000MHZ LVPECL | 4MA |
| 4MA250000Z3AACTGI8 | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 250.0000MHZ LVPECL | 4MA |
| 4MA250000Z3AACUGI | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 250.0000MHZ LVPECL | 4MA |
| 4MA250000Z3AACUGI8 | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 250.0000MHZ LVPECL | 4MA |
| 4MA250000Z3BACTGI | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 250.0000MHZ LVPECL | 4MA |
| 4MA250000Z3BACTGI8 | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 250.0000MHZ LVPECL | 4MA |
| 4MA250000Z4AACUGI | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 250.0000MHZ LVDS SMD | 4MA |
| 4MA250000Z4AACUGI8 | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 250.0000MHZ LVDS SMD | 4MA |
| 4MA212500Z3BACUGI | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 212.5000MHZ LVPECL | 4MA |
| 4MA212500Z3BACUGI8 | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 212.5000MHZ LVPECL | 4MA |
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| 4MA250000Z3BACUGI8 | Renesas晶振 | MEMS OSC XO 250.0000MHZ LVPECL | 4MA |
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