SiT1532AI-J4-D14-32.768Q,1508mm,32.768KHz,SiTime品牌

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SiT1532AI-J4-D14-32.768Q,1508mm,32.768KHz,SiTime品牌

频率：32.768KHz

尺寸：1.5x0.8mm

SiT1532AI-J4-D14-32.768Q,1508mm,32.768KHz,SiTime品牌，美国进口晶振，SiTime可编程晶振，型号SiT1532，编码为：SiT1532AI-J4-D14-32.768Q，工业温度范围：-40℃至+85℃，频率稳定性：±100ppm，频率为：32.768KHz，小体积晶振尺寸：1.5x0.8mm。SiT1532是世界上最小、最低功率的32.768kHz石英晶体振荡器，为移动设备和其他电池驱动的应用程序进行了优化。SiTime的硅MEMS技术能够实现最小的足迹和芯片规模的封装。与现有的2.0x1.2mm SMD XTAL软件包相比，该设备减少了32kHz的内存占用高达85%。与XTALs不同，SiT1532振荡器输出支持更大的组件放置灵活性，并消除了外部负载电容器，从而节省了额外的组件计数和板空间。与标准振荡器不同的是，贴片晶振SiT1532的特点是纳米驱动器Drive?，这是一种工厂可编程输出，可以降低电压摆动以最小化功率。应用于：智能手机，平板电脑，健康和健康监视器，健身手表，运动视频摄像头，无线键盘，超小笔记本电脑，每秒脉冲（pps）计时，RTC参考时钟，电池管理计时等应用。

订购热线：0755-27838351

SiT1532AI-J4-D14-32.768Q,1508mm,32.768KHz,SiTime品牌，美国进口晶振，SiTime可编程晶振，型号SiT1532，编码为：SiT1532AI-J4-D14-32.768Q，工业温度范围：-40℃至+85℃，频率稳定性：±100ppm，频率为：32.768KHz，小体积晶振尺寸：1.5x0.8mm。SiT1532是世界上最小、最低功率的32.768kHz石英晶体振荡器，为移动设备和其他电池驱动的应用程序进行了优化。SiTime的硅MEMS技术能够实现最小的足迹和芯片规模的封装。与现有的2.0x1.2mm SMD XTAL软件包相比，该设备减少了32kHz的内存占用高达85%。与XTALs不同，SiT1532振荡器输出支持更大的组件放置灵活性，并消除了外部负载电容器，从而节省了额外的组件计数和板空间。与标准振荡器不同的是，贴片晶振SiT1532的特点是纳米驱动器Drive™，这是一种工厂可编程输出，可以降低电压摆动以最小化功率。应用于：智能手机，平板电脑，健康和健康监视器，健身手表，运动视频摄像头，无线键盘，超小笔记本电脑，每秒脉冲（pps）计时，RTC参考时钟，电池管理计时等应用。

SiT1532AI-J4-D14-32.768Q,1508mm,32.768KHz,SiTime品牌，产品特点：

芯片级最小占地面积（CSP）：1.5x0.8mm
固定32.768 kHz有源晶振
<10 ppm频率容差，超低功率：＜1µA
直接与XTAL输入接口
支持币形电池或超级电池备用电压
VVdd供电范围：-40°C至+85°C时为1.5 V至3.63 V
振荡器输出消除了外部负载上限
内部滤波消除了外部Vdd旁路帽
NNanoDrive™最低功率的可编程输出摆动
无铅，符合RoHS和REACH

SiT1532AI-J4-D14-32.768Q,1508mm,32.768KHz,SiTime品牌,参数表

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Max.	Unit	Condition
Frequency and Stability
Fixed Output Frequency	Fout		32.768	kHz
Frequency Stability
Frequency Tolerance[1]	F_tol			10	ppm	TA=25°C, post reflow, Vdd: 1.5V–3.63V
				20	ppm	TA=25°C, post reflow with board-level underfill,
						Vdd: 1.5V – 3.63V
Frequency Stability[2]	F_stab			75	ppm	TA=-10°C to +70°C, Vdd: 1.5V–3.63V
				100		TA=-40°C to +85°C, Vdd: 1.5V–3.63V
				250		TA=-10°C to +70°C, Vdd: 1.2V–1.5V
25°C Aging		-1		1	ppm	1st Year
Supply Voltage and Current Consumption
Operating Supply Voltage	Vdd	1.2		3.63	V	TA= -10°C to +70°C
Operating Supply Voltage	Vdd	1.5		3.63	V	TA=-40°C to +85°C
Core Operating Current[3]	Idd		0.9		μA	TA= 25°C, Vdd: 1.8 V. No load
				1.3		TA=-10°C to +70°C, Vdd max: 3.63V. No load
				1.4		TA=-40°C to +85°C, Vdd max: 3.63V. No load
Output Stage Operating Current[3]	Idd_out		0.065	0.125	μA/Vpp	TA=-40°C to +85°C, Vdd:1.5V-3.63V.No load
Power-Supply Ramp	t_Vdd			100	ms	Vdd Ramp-up from 0 to 90%, TA=-40°C to +85°C
Ramp
Start-up Time at Power-up[4]	t_start		180	300	ms	TA=-40°C ≤ TA≤ +50°C, valid output
Start-up Time at Power-up[4]				450		TA=+50°C < TA≤ +85°C, valid output
Operating Temperature Range
Commercial Temperature	T_use	-10		70	°C
Industrial Temperature		-40		85	°C