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AKER晶振,有源晶振,SMBN-751晶振,7050mm贴片振荡器
频率：32.768KHZ
尺寸：7.0*5.0mm贴片石英晶振,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
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AKER晶振,有源晶振,SMBN-751晶振,石英晶体振荡器
频率：0.5~156.25...
尺寸：7.0*5.0mm有源贴片晶振,无论是温补晶体也好,压控晶振也罢,产品均采用了,离子刻蚀调频技术,比目前一般使用的真空蒸镀方式调频,主要在产品参数有以下提升:１.微调后调整频率能控制在±2ppm,一般只能保持在±５ppm;２.产品的激励功率相关性参数有大幅提升;３.产品的长期老化率可保证在±2ppm之内
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AKER晶振,有源晶振,SMBF-211晶振,2016mm轻薄型有源晶体振荡器
频率：2~50MHZ
尺寸：2.0*1.6mmSMD晶体2016mm进口晶振尺寸,在生产工艺上采用了高精密点胶技术:晶片胶点的位置,大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用,使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内
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AKER晶振,有源晶振,SMBF-221晶振,进口石英晶体振荡器
频率：2~50MHZ
尺寸：2.5*2.0计算机电脑晶振在设计时就与各款型号IC匹配等相关技术,使用IC与晶片设计匹配技术:是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题.在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外,还有石英晶体振荡器的电极设计等有它的特殊性,必须考虑振荡器的供应电压,起动电压和产品上升时间,下降时间等相关参数.
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AKER晶振,有源晶振,SMBF-321晶振,低电压小体积有源晶振
频率：1~135MHZ
尺寸：5.0*3.2mm5032进口晶振,该产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
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AKER晶振,有源晶振,SMBF-321晶振,低电压小体积有源晶振
频率：1~135MHZ
尺寸：5.0*3.2mm贴片有源晶体是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装.1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高.此技术为研发及生产超小型,超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一
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AKER晶振,有源晶振,SMBF-531晶振,高精度小体积有源晶振
频率：1~135MHZ
尺寸：5.0*3.2mm5032进口晶振,该产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.
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AKER晶振,有源晶振,SMBF-751晶振,汽车级四脚贴片晶振
频率：1~135MHZ
尺寸：7.0*5.0mm小体积有源石英晶体振荡器,在生产时需要在完全净化车间,在密封的机器设备中测良,封装等技术1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高.此技术为研发及生产超小型,超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一.
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AKER晶振,贴片晶振,CXAF-631晶振,6035mm金属面封装晶振
频率：7.3728~133...
尺寸：6.0*3.5mm超小型石英晶片的设计:石英晶体谐振器的长宽尺寸已要求在±0.00２mm内,由于晶片很小导致晶体的各类寄生波(如长度伸缩振动,面切变振动)与主振动(厚度切变振动)的耦合加强,从而造成如若晶片的长度或宽度尺寸设计不正确,使得振动强烈耦合导致晶片不能正常工作,从而导致产品在客户端不能正常使用
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AKER晶振,贴片晶振,CXAF-751晶振,CXA-016000-7B6A60晶振
频率：6~133MHZ
尺寸：7.0*5.0mm小尺寸的贴片石英晶振,目前生产上采用了高技术的封装模式,光刻石英晶片技术,并且通过结合以往低速滚筒倒边去除晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计,滚筒的曲率半径,滚筒的长短,使用的研磨砂的型号,多少,填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶片的边缘效应不能去除,而晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动不稳定.
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AKER晶振,贴片晶振,CXAF-421晶振,CXA-028224-4X6D00晶振
频率：12~52MHZ
尺寸：4.0*2.5mm4025mm体积的晶振,可以说是目前小型数码产品的福音,目前超小型的智能手机晶振里面所应用的就是小型的石英晶振,该产品最适用于无线通讯系统,无线局域网,已实现低相位噪声,低电压,低消费电流和高稳定度,超小型,质量轻等产品特点,产品本身编带包装方式,可对应自动高速贴片机应用,以及高温回流焊接（产品无铅对应）,为无铅产品
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AKER晶振,贴片晶振,CXAF-211晶振,CXA-026000-AF7F21晶振
频率：12~54MHZ
尺寸：2.5*2.0mm小尺寸的贴片石英晶振,目前生产上采用了高技术的封装模式,光刻石英晶片技术,并且通过结合以往低速滚筒倒边去除晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计,滚筒的曲率半径,滚筒的长短,使用的研磨砂的型号,多少,填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶片的边缘效应不能去除,而晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动不稳定.
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AKER晶振,贴片晶振,CXAF-211晶振,CXA-026000-AF7F21晶振
频率：12~54MHZ
尺寸：2.5*2.0mm贴片石英晶振2016进口晶振小尺寸系列SMD晶片目前采用了激光切割技术,按照最严格的切割机各项设备参数,严格挑选各类晶体切割,如:磨料,线切割线,槽轮等,通过以上方法使切割出的晶片在厚度一致性,平行度,表面粗糙度上都超越其它切割方式,提高了晶片的精度,提高了生产效率.
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AKER晶振,贴片晶振,CXAF-221晶振,CXA-016000-2D7D40晶振
频率：12~54MHZ
尺寸：2.5*2.0mm小尺寸的贴片石英晶振,目前生产上采用了高技术的封装模式,光刻石英晶片技术,并且通过结合以往低速滚筒倒边去除晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计,滚筒的曲率半径,滚筒的长短,使用的研磨砂的型号,多少,填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶片的边缘效应不能去除,而晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动不稳定.
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AKER晶振,贴片晶振,CXAF-321晶振,CXA-032000-3F1D21晶振
频率：8~150MHZ
尺寸：3.2*2.5mm无源贴片晶振,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
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玛居礼晶振,压控温补晶振,VM572T晶振,OSC压控温补贴片晶振
频率：1.25~156MH...
尺寸：7.0*5.0mm压控温补晶体振荡器系列,VC-TCXO产品内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术:晶片胶点的位置,大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用,使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内.
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玛居礼晶振,压控温补晶振,VM53T晶振,通讯产品压控温补晶体振荡器
频率：8.192~38.4...
尺寸：3.2*2.5mm有源贴片晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装.1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高.此技术为研发及生产超小型,超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一
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玛居礼晶振,压控温补晶振,VM32T晶振,低衰减金属面贴片温补晶振
频率：8.192~38.4...
尺寸：3.2*2.5mm压控温补晶体系列,VC-TCXO晶振产品内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术:晶片胶点的位置,大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用,使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内.
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玛居礼晶振,温补晶振,M572T晶振,轻薄型温补晶振
频率：1.25~156MH...
尺寸：7.0*5.0mm石英晶体振荡器在设计时就与各款型号IC匹配等相关技术,使用IC与晶片设计匹配技术:是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题.在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外,还有石英晶体振荡器的电极设计等有它的特殊性,必须考虑振荡器的供应电压,起动电压和产品上升时间,下降时间等相关参数.
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玛居礼晶振,温补晶振,M53T晶振,低功耗金属面封装温补晶振
频率：6.4~38.4MH...
尺寸：3.0*2.5mm有源贴片晶振是指在普通无源晶体上增加了电压,内部集成了相应IC与电容电阻,需要在净化万级车间生产,并且在密封机器设备中焊接加盖,内部封装模式是指在真空封装区域内进行封装.1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使组件在真空下电阻减小;3.气密性高.此技术为研发及生产超小型,超薄型石英晶体元器必须攻克的关键技术之一
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