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Suntsu松图品牌TCXO产品

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 浏览：- 发布日期：2023-11-06 17:01:51【大 中 小】
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Suntsu松图品牌TCXO产品

Suntsu松图晶振的TCXO和VCTCXO有源晶振，有多种尺寸的通孔或表面贴装封装。我们提供许多不同的电压，并能提供符合Stratum 3标准的零件。从最下面列出的数据表中选择一个标准零件号，或者联系我们的销售团队请求您可能需要的任何定制参数，我们将根据您的具体需求进行设计。

温度补偿晶体振荡器使用采样技术来校正晶体振荡器电路的温度缺陷、封装和环境。典型地，校正技术包括晶体坯的运动电感和终端电容的物理和电特性。这方面的知识用于创建校正多项式或算法，进而在电路模块中实现，并保持比标准振荡器更好的稳定性。

什么是TCXO？

温度补偿晶体振荡器(TCXO)是一种一种特殊类型的晶体振荡器，当特定电子设备需要时，可提供更高水平的稳定性和精确度.在标准晶体振荡器单元中，振荡频率的变化是随着温度的升高而发生的。这种频率的不稳定性会严重损害电子设备的整体功能。本质上，TCXO振荡器主动抵消任何温度变化对晶体振荡器频率稳定性的影响。这些晶体振荡器单元最常见于高温环境中。

TCXOs是如何工作的？
TCXOs因其频率稳定属性而受到重视，包括它们如何能够抵抗和抵消外部温度的相当显著的增加。在TCXO中，其温度补偿网络(也称为热敏电阻网络)可以识别指定范围之外的温度变化，并启动频率稳定机制作为响应。温度变化引起热敏电阻变化，从而引起网络等效电容的变化。这反过来改变了晶体上的电容负载，导致振荡器频率的变化。
TCXO的优点是什么？
尽管标准晶体振荡器因其对温度变化的抵抗性和特定频率的维持而受到重视，但它们仍可能受到温度变化的影响。TCXO可以有效地稳定振荡器的频率水平，以响应温度变化，这使得这种类型的晶体振荡器可以在温度可变的环境中使用，而不会牺牲性能或产生大量的运行费用。
TCXOs的常见类型有哪些？
常见类型的TCXOs之间的区别基于每个振荡器用来抵消温度变化的机制类型。最常见的TCXO类型包括模拟数字TCXO、数字TCXO、DCXO和MCXO。
TCXO与VCTCXO
压控温度补偿晶体振荡器(VCTCXO)是一种TCXO，它通过响应温度升高而施加模拟电压来保持和稳定其振荡频率。施加于VCTCXO的电压与温度变化正好相反，这保持了TCXO的精度。
TCXO解决方案
TCXO为石英晶体振荡器的主要问题提供解决方案，包括晶体老化和频率稳定性。TCXO不是将晶体放在烘箱中保护，而是通过施加与温度变化完全相反的电压电流来识别温度变化并稳定频率。此外，TCXOs大约每6到12个月重新校准一次，以防止晶体过早老化。这就是TCXOs贴片晶振用于高品质手机、平板电脑、GPS导航设备和便携式收音机的原因。
晶体振荡器的温度性能
晶体振荡器很容易受到频率漂移的影响，以响应超出其指定范围的长期和显著的温度变化。尽管晶体振荡器可能能够在其额定温度范围之外暂时工作，但考虑到振荡器单元和器件的性能和寿命，不建议这样做。
恒温晶体振荡器(OCXOs)和TCXOs有什么区别？
尽管恒温晶体振荡器(OCXO)和TCXO都是与热相关的振荡器件，但TCXO可针对温度升高提供增强的频率稳定性保护，并且比OCXO小得多。TCXOs非常适合需要稳定频率源的便携式电子设备。
A.设计
OCXOs比TCXOs和标准石英晶体振荡器大，因为它们需要一个加热器。TCXO更紧凑，因为它没有烤箱和隔热层。此外，TCXO甚至不需要密封振荡器封装。TCXO的封装尺寸因其功能而异，但与其他振荡器选项相比，它们相对较小。
B.功率消耗
OCXOs可能消耗大量的功率，因为OXCO中的加热器通常需要来自振荡器本身以外的额外电源的功率。启动后OXCO内部温度的升高会降低运行所需的功率。就TCXO电路设计而言，TCXO感测和响应温度所需的额外电路导致比标准振荡器更大的功耗。
C.校准
与OXCO不同，TCXO温补晶振需要定期重置或重新校准。单个设备的规格将描述重新校准要求。这一过程有助于延缓晶体老化，这是其他晶体振荡器的寿命和稳定性问题。
常见问题
哪个振荡器更稳定？
当涉及到保持其频率的稳定性时，TCXO是优选的晶体振荡器，尤其是对于便携式电子设备。其基于温度的稳定性机制可实现额定频率的恒定输出，而不受外部温度升高的影响。
晶体振荡器有多精确？
晶体振荡器在抵抗外部温度变化和产生精确频率的能力方面被认为是精确和可靠的。与LC谐振电路相比尤其如此。一种特殊类型的晶体振荡器，TCXO石英晶振，提供了一个针对不必要的频率变化的增强支持。
模拟振荡器是如何工作的？
模拟振荡器也称为压控振荡器(VCO)，在合成器中可以找到，它通过产生特定振荡频率的交流信号和声音来工作。要调整模拟振荡器的频率，需要输入电压。由于其音质，VCO比数字振荡器更受青睐，可以获得更自然的声音。
TCXO的关键元素和温度的影响

TCXO的重要元件包括补偿网络、振荡器牵引电路、晶体振荡器电路、电压调节器和缓冲放大器。根据晶体的形状和切割，温度对晶体振荡器的影响可以最小化，但是温度控制振荡器可以根据温度对振荡器施加校正电压，从而对频率变化提供更大的抵抗力。


Series Image Logic Package Stability To Voltage(s) Frequency Reel
STC11K STC11K CLIPPED SINE WAVE 1.6X1.2 CERAMIC SMD (4 PAD) (VC)TCXO ±0.5ppm 1.8V, 2.5V, 2.7V, 2.8V, 3.0V, 3.3V 26.000MHz - 52.000MHz 3K
STH11K STC11K TCXO CLIPPED SINE WAVE 1.6X1.2 CERAMIC SMD (4 PAD) (VC)TCXO ±0.5ppm 1.2V, 2.5V, 2.7V, 2.8V, 3.0V, 3.5V 13.000MHz-52.000MHz 3K
STC21C STC21C TCXO CMOS 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO ±2.5ppm 1.8V, 2.5V, 3.3V 8.000MHz – 70.000MHz 3K
STC21K STC21K TCXO CLIPPED SINE WAVE 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) (VC)TCXO ±0.5ppm 1.8V, 2.5V, 2.7V, 3.0V, 3.3V 10.000MHz - 52.000MHz 3K
STH21K STC11K TCXO CLIPPED SINE WAVE 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) (VC)TCXO ±0.5ppm 1.2V, 2.5V, 2.7V, 2.8V, 3.0V, 3.5V 13.000MHz-52.000MHz 3K
STC22C STC22C TCXO CMOS 2.5X2.0 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO ±2.5ppm 1.8V, 2.5V, 3.3V 8.000MHz – 70.000MHz 3K
STC22K STC22K TCXO CLIPPED SINE WAVE 2.5X2.0 CERAMIC SMD (4 PAD) (VC)TCXO ±0.5ppm 1.8V, 2.5V, 2.7V, 3.0V, 3.3V 13.000MHz-52.000MHz 3K
STH22K STC11K TCXO CLIPPED SINE WAVE 2.5X2.0 CERAMIC SMD (4 PAD) (VC)TCXO ±0.5ppm 1.2V, 2.5V, 2.7V, 2.8V, 3.0V, 3.5V 13.000MHz-52.000MHz 3K
STC32C STC32C TCXO CMOS 3.2X2.5 CERAMIC SMD (4 PAD) (VC)TCXO ±1.0ppm 2.5V, 2.7V, 3.0V, 3.3V 6.000MHz - 40.000MHz 3K
STC32K STC32K TCXO CLIPPED SINE WAVE 3.2X2.5 CERAMIC SMD (4 PAD) (VC)TCXO ±0.5ppm 1.8V, 2.5V, 2.7V, 3.0V, 3.3V 6.000MHz - 40.000MHz 3K
STC53C STC53C TCXO CMOS 5.0X3.2 CERAMIC SMD (4 PAD) (VC)TCXO ±1.0ppm 2.5V, 2.7V, 3.0V, 3.3V 6.000MHz - 40.000MHz 3K
STC53K STC53K TCXO CLIPPED SINE WAVE 5.0X3.2 CERAMIC SMD (4 PAD) (VC)TCXO ±0.5ppm 2.5V, 2.7V, 3.0V, 3.3V 6.000MHz - 40.000MHz 3K
SUS53C TCXO SUS53C CMOS 5.2X3.4 SMD (6 PAD) (VC)TCXO ±0.05ppm 3.3V, 5.0V 10.000MHz - 52.000MHz 1K
SUS53K TCXO SUS53K CLIPPED SINE WAVE 5.2X3.4 SMD (6 PAD) (VC)TCXO ±0.05ppm 3.3V, 5.0V 10.000MHz - 52.000MHz 1K
SUS75C TCXO SUS75C CMOS 7.0X5.0 SMD (10 PAD) (VC)TCXO ±0.05ppm 3.3V, 5.0V 10.000MHz - 52.000MHz 1K
SUS75K TCXO SUS75K CLIPPED SINE WAVE 7.0X5.0 SMD (10 PAD) (VC)TCXO ±0.05ppm 3.3V, 5.0V 10.000MHz - 52.000MHz 1K
SST75C SST75C TCXO CMOS 7.0X5.0 CERAMIC SMD (10 PAD) (VC)TCXO ±0.14ppm 3.3V, 5.0V 5.000MHz-26.000MHz 1K
SST75K SST75K TCXO CLIPPED SINE WAVE 7.0X5.0 CERAMIC SMD (10 PAD) (VC)TCXO ±0.14ppm 3.3V, 5.0V 5.000MHz-26.000MHz 1K
STC75C STC75C TCXO CMOS 7.0X5.0 CERAMIC SMD (10 PAD) (VC)TCXO ±0.5ppm 3.3V, 5.0V 5.000MHz - 40.000MHz 1K
STC75K STC75K TCXO CLIPPED SINE WAVE 7.0X5.0 CERAMIC SMD (10 PAD) (VC)TCXO ±0.5ppm 3.3V, 5.0V 5.000MHz - 40.000MHz 1K
SSTFSC SSTFSC TCXO CMOS 14 PIN DIP (VC)TCXO 18.3 X 11.7 ±1.0ppm 3.3V, 5.0V 2.000MHz - 40.000MHz N/A
SSTFSK SSTFSK TCXO CLIPPED SINE WAVE 14 PIN DIP (VC)TCXO 18.3 X 11.7 ±1.0ppm 3.3V, 5.0V 2.000MHz - 40.000MHz N/A
STCFSC STCFSC TCXO CMOS 14 PIN DIP (VC)TCXO 18.3 X 11.7 ±1.0ppm 3.3V, 5.0V 1.000MHz - 800.000MHz N/A
STCFSK STCFSK TCXO CLIPPED SINE WAVE 14 PIN DIP (VC)TCXO 18.3 X 11.7 ±1.0ppm 3.3V, 5.0V 6.000MHz - 200.000MHz N/A
SST20C SST20C TCXO CMOS 20.0X20.0 DIP (VC)TCXO ±1.0ppm 3.3V, 5.0V 2.000MHz - 150.000MHz N/A

晶振料号 包装尺寸 频率 输出 电压 频率稳定度 TCXO/VCTCXO 工作温度
STC21C25O07-10.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 10.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO 0℃ - +70℃
STC21C25O07-16.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 16.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO 0℃ - +70℃
STC21C25O07-16.384M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 16.384M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO 0℃ - +70℃
STC21C25O07-18.432M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 18.432M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO 0℃ - +70℃
STC21C25O07-19.200M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 19.200M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO 0℃ - +70℃
STC21C25O07-20.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 20.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO 0℃ - +70℃
STC21C25O07-24.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 24.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO 0℃ - +70℃
STC21C25O07-25.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 25.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO 0℃ - +70℃
STC21C25O07-26.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 26.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO 0℃ - +70℃
STC21C25O07-32.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 32.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO 0℃ - +70℃
STC21C25O07-38.400M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 38.400M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO 0℃ - +70℃
STC21C25O07-40.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 40.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO 0℃ - +70℃
STC21C25O07-50.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 50.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO 0℃ - +70℃
STC21C25O16-10.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 10.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -10℃ - +60℃
STC21C25O16-16.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 16.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -10℃ - +60℃
STC21C25O16-16.384M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 16.384M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -10℃ - +60℃
STC21C25O16-18.432M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 18.432M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -10℃ - +60℃
STC21C25O16-19.200M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 19.200M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -10℃ - +60℃
STC21C25O16-20.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 20.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -10℃ - +60℃
STC21C25O16-24.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 24.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -10℃ - +60℃
STC21C25O16-25.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 25.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -10℃ - +60℃
STC21C25O16-26.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 26.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -10℃ - +60℃
STC21C25O16-32.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 32.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -10℃ - +60℃
STC21C25O16-38.400M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 38.400M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -10℃ - +60℃
STC21C25O16-40.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 40.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -10℃ - +60℃
STC21C25O16-50.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 50.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -10℃ - +60℃
STC21C25O17-10.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 10.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -10℃ - +70℃
STC21C25O17-16.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 16.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -10℃ - +70℃
STC21C25O17-16.384M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 16.384M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO有源晶体 -10℃ - +70℃
STC21C25O17-18.432M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 18.432M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -10℃ - +70℃
STC21C25O17-19.200M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 19.200M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -10℃ - +70℃
STC21C25O17-20.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 20.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -10℃ - +70℃
STC21C25O17-24.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 24.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -10℃ - +70℃
STC21C25O17-25.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 25.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -10℃ - +70℃
STC21C25O17-26.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 26.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -10℃ - +70℃
STC21C25O17-32.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 32.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -10℃ - +70℃
STC21C25O17-38.400M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 38.400M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -10℃ - +70℃
STC21C25O17-40.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 40.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -10℃ - +70℃
STC21C25O17-50.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 50.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -10℃ - +70℃
STC21C25O27-10.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 10.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -20℃ - +70℃
STC21C25O27-16.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 16.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -20℃ - +70℃
STC21C25O27-16.384M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 16.384M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -20℃ - +70℃
STC21C25O27-18.432M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 18.432M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -20℃ - +70℃
STC21C25O27-19.200M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 19.200M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -20℃ - +70℃
STC21C25O27-20.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 20.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -20℃ - +70℃
STC21C25O27-24.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 24.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -20℃ - +70℃
STC21C25O27-25.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 25.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -20℃ - +70℃
STC21C25O27-26.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 26.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -20℃ - +70℃
STC21C25O27-32.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 32.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -20℃ - +70℃
STC21C25O27-38.400M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 38.400M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -20℃ - +70℃
STC21C25O27-40.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 40.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -20℃ - +70℃
STC21C25O27-50.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 50.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -20℃ - +70℃
STC21C25O38-10.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 10.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -30℃ - +85℃
STC21C25O38-16.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 16.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -30℃ - +85℃
STC21C25O38-16.384M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 16.384M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -30℃ - +85℃
STC21C25O38-18.432M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 18.432M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -30℃ - +85℃
STC21C25O38-19.200M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 19.200M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -30℃ - +85℃
STC21C25O38-20.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 20.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -30℃ - +85℃
STC21C25O38-24.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 24.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -30℃ - +85℃
STC21C25O38-25.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 25.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -30℃ - +85℃
STC21C25O38-26.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 26.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -30℃ - +85℃
STC21C25O38-32.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 32.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -30℃ - +85℃
STC21C25O38-38.400M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 38.400M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -30℃ - +85℃
STC21C25O38-40.000M 2.0X1.6 CERAMIC SMD (4 PAD) TCXO 40.000M CMOS 2.5V±5% ±2.5ppm TCXO -30℃ - +85℃
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