Microchip振荡器,DSC1001DI1-026.0000T,监控摄像头6G晶振

当前位置：首页 » 有源晶体 » Microchip晶振 » Microchip振荡器,DSC1001DI1-026.0000T,监控摄像头6G晶振

prevnext

Microchip振荡器,DSC1001DI1-026.0000T,监控摄像头6G晶振

频率：26.000MHz

尺寸：3.2x2.5mm

Microchip振荡器,DSC1001DI1-026.0000T,监控摄像头6G晶振，美国进口晶振，Microchip晶振，型号：DSC1001，编码为：DSC1001DI1-026.0000T，频率为：26.000MHz，小体积晶振尺寸：2.5x2.0x0.85mm封装，四脚贴片晶振，有源晶振，DSC1001是一种基于硅MEMS的CMOS系列振荡器，在大范围的电源电压和温度范围内提供优异的抖动和稳定性能。该设备的工作范围为1MHz至150MHz，电源电压在1.8至3.3V特之间，温度范围高达-40°C至105°C。DSC1001包含了一个全硅谐振器，它非常坚固，几乎不受应力相关裂缝的影响，这是石英晶体振荡器常见的。在不牺牲当今系统所需的性能和稳定性的情况下，无晶体设计允许更高水平的可靠性，使DSC1001非常适合坚固、工业和便携式的应用，其中应力、冲击和振动可能会损坏基于石英晶体的系统。应用于：移动应用，消费电子，便携式电子，DVR，闭路电视，监控摄像头，低调应用，工业应用。

订购热线：0755-27838351

Microchip振荡器,DSC1001DI1-026.0000T,监控摄像头6G晶振，参数表

Parameters

Sym.

Min.

Typ.

Max.

Units

Conditions

Frequency

—

MHz

Single Frequency

Frequency Tolerance

Δf

±10

ppm

Includes frequency variations
due to initial tolerance,
temperature and power supply
voltage

±20

—

±25

±50

Aging

Δf

±5

ppm

1 year @ +25°C

Supply Current, Standby

IDD

—

µA

T = +25°C

Output Startup Time
(Note 1)

tSU

—

1.0

1.3

T = +25°C

Output Disable Time

tDA

100

Output Duty Cycle

SYM

Input Logic Level High

VIH

0.75 x V DD

—

Input Logic Level Low

VIL

0.25 x V DD

V DD = 1.8V

Supply Current, No Load

IDD

—

6.0

6.3

1 MHz

   CL = 0 pF,
   RL = ∞ ,
   T = +25°C

6.5

7.1

27 MHz

7.2

8.5

70 MHz

—

8.3

11.9

150 MHz

Output Logic Level High

V OH

0.8 x V DD

–6 mA, DSC1004, CL = 40 pF

0.8 x V DD

–6 mA, DSC1003, CL = 25 pF

0.8 x V DD

—

–4 mA, DSC1001, CL = 15 pF

Output Logic Level Low

VOL

—

0.2 x V DD

6 mA, DSC1004, CL = 40 pF

0.2 x V DD

6 mA, DSC1003, CL = 25 pF

—

0.2 x V DD

4 mA, DSC1001, CL = 15 pF

Microchip振荡器,DSC1001DI1-026.0000T,监控摄像头6G晶振，尺寸图

Microchip振荡器,DSC1001DI1-026.0000T,监控摄像头6G晶振

产品特性：

频率范围:1至150MHz

超温度稳定性- ±10 ppm，±20 ppm，±25 ppm，±50 ppm
工作电压- 1.7至3.6V
工作温度范围-外部。工业-40°C至105°C-工业-40°C至85°C-商用-20°C至70°C
低工作和待机电流-6 mA工作（1 MHz）- 15µA待机（最大）
微型尺寸：
2.5毫米x2.0mm毫米x0.85mm毫米
3.2毫米x2.5mm毫米x0.85mm毫米
5.0毫米x3.2mm毫米x0.85mm毫米
7.0毫米x5.0mm毫米x0.85mm毫米
MIL-STD 883防震和抗振动
Pb免费，RoHS，达到SVHC兼容
AEC-Q100可靠性合格
应用：移动通讯应用，消费电子，便携式电子，DVR，闭路电视，监控摄像头，低配置文件应用程序，工业应用

晶振料号	品牌	型号	频率	电压	Type 类型
DSC1001DI1-001.8432	Microchip晶振	DSC1001	1.8432MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI2-038.4000	Microchip晶振	DSC1001	38.4MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DE5-018.4320	Microchip晶振	DSC1001	18.432MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI1-026.0000T	Microchip晶振	DSC1001	26MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI2-004.0960T	Microchip晶振	DSC1001	4.096MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DL5-020.0000T	Microchip晶振	DSC1001	20MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DL5-024.0000T	Microchip晶振	DSC1001	24MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DL5-075.0000	Microchip晶振	DSC1001	75MHz	1.7 V ~ 3.6 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DL5-133.3330	Microchip晶振	DSC1001	133.333MHz	1.7 V ~ 3.6 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI5-080.0000	Microchip晶振	DSC1001	80MHz	1.7 V ~ 3.6 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI1-050.0000	Microchip晶振	DSC1001	50MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI1-024.0000	Microchip晶振	DSC1001	24MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI1-025.0000	Microchip晶振	DSC1001	25MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI5-100.0000	Microchip晶振	DSC1001	100MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DL5-025.0000	Microchip晶振	DSC1001	25MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI1-004.9152	Microchip晶振	DSC1001	4.9152MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI1-012.0000	Microchip晶振	DSC1001	12MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI1-048.0000	Microchip晶振	DSC1001	48MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI1-020.0000	Microchip晶振	DSC1001	20MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI1-032.0000	Microchip晶振	DSC1001	32MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI1-038.4000	Microchip晶振	DSC1001	38.4MHz	1.7 V ~ 3.6 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI2-045.1584	Microchip晶振	DSC1001	45.1584MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI2-049.1520	Microchip晶振	DSC1001	49.152MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI2-011.0592	有源晶体	DSC1001	11.0592MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DL1-025.2000	Microchip晶振	DSC1001	25.2MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI2-005.0196	Microchip晶振	DSC1001	5.0196MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DL2-016.0000	Microchip晶振	DSC1001	16MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI1-012.8000	Microchip晶振	DSC1001	12.8MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI2-028.6363	Microchip晶振	DSC1001	28.6363MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI2-031.2500	Microchip晶振	DSC1001	31.25MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI2-037.1250	Microchip晶振	DSC1001	37.125MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI2-024.0000	Microchip晶振	DSC1001	24MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI2-050.0000	Microchip晶振	DSC1001	50MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI2-029.5000	Microchip晶振	DSC1001	29.5MHz	1.7 V ~ 3.6 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI2-027.0000	Microchip晶振	DSC1001	27MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DL2-030.0000	Microchip晶振	DSC1001	30MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DL2-027.0000	Microchip晶振	DSC1001	27MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DL2-013.5000	Microchip晶振	DSC1001	13.5MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DL2-037.1250	Microchip晶振	DSC1001	37.125MHz	1.7 V ~ 3.6 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI2-100.0000	Microchip晶振	DSC1001	100MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DL5-040.0000	Microchip晶振	DSC1001	40MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI5-026.0000	Microchip晶振	DSC1001	26MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI5-047.3385	Microchip晶振	DSC1001	47.3385MHz	1.7 V ~ 3.6 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI5-047.3885	Microchip晶振	DSC1001	47.3885MHz	1.7 V ~ 3.6 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DL2-074.2500	Microchip晶振	DSC1001	74.25MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI5-024.5760	Microchip晶振	DSC1001	24.576MHz	1.7 V ~ 3.6 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI5-016.0000	Microchip晶振	DSC1001	16MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI5-019.2000	Microchip晶振	DSC1001	19.2MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DI5-025.0000	Microchip晶振	DSC1001	25MHz	1.8 V ~ 3.3 V	MEMS (Silicon)
DSC1001DL5-050.0000	Microchip晶振	DSC1001	50MHz	1.7 V ~ 3.6 V	MEMS (Silicon)