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深圳市康华尔电子有限公司

SHENZHEN KONUAER ELECTRONICS CO. LTD

MURATA CRYSTAL CO.,LTD

村田晶振
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村田晶振,贴片晶振,TAS-3225J晶振,XRCJH26M000F1QC1P0晶振

频率:26MHZ

尺寸:3.2*2.5mm

超小型石英晶振的设计:石英晶片的长宽尺寸已要求在±0.002mm内,由于晶片很小导致晶体的各类寄生波(如长度伸缩振动,面切变振动)与主振动(厚度切变振动)的耦合加强,从而造成如若晶片的长度或宽度尺寸设计不正确,使得振动强烈耦合导致晶片不能正常工作

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村田晶振发展史:

1973年10月 在中国香港成立销售公司—村田陶瓷晶振有限公司

1978年11月 收购台湾的生产销售公司—美国企业的当地法人「Mallory 现在的(台湾村田股份有限公司)]

1994年7月 在中国北京成立制造公司—北京村田电子有限公司,主要生产销售,贴片陶瓷晶振,陶瓷晶体,陶瓷谐振器等

1994年12月 在中国江苏省无锡市成立生产?销售公司—无锡村田电子有限公司

1995年5月 在中国上海成立销售公司—村田电子贸易(上海)有限公司

1999年7月 在中国深圳成立销售公司—村田电子贸易(深圳)有限公司

1999年8月 在中国天津成立销售公司—村田电子贸易(天津)有限公司,主要生产销售陶瓷晶振,村田陶瓷谐振器,村田晶振

2001年7月 在中国香港成立制造?销售公司—香港村田电子有限公司

2005年6月 在中国广东省深圳市成立制造公司—深圳科技有限公司

2005年12月 在中国上海成立中华地区销售统括公司—村田(中国)投资有限公司

2006年4月 Murata Electronics North America Inc.收购 SyChip (在中国有SyChip的上海分公司)

2006年10月 在四川大学,浙江大学,中国科学技术大学,武汉大学开始实施助学金制度

2007年3月 在村田(中国)投资有限公司增资及设立了内部研发中心

2007年4月 成立了村田(中国)投资有限公司浦东分公司与上海SyChip,共同进行研发工作

2009年5月 在上海村田(中国)投资有限公司新办公大楼竣工

村田晶振,贴片晶振,TAS-3225J晶振,XRCJH26M000F1QC1P0晶振,超小型石英晶体元器件完成晶片的设计特别是外形尺寸的设计是首要需解决的技术问题,公司在此方面通过理论与实践相结合,模拟出一整套此晶片设计的计算机程序,该程序晶片外形尺寸已全面应用并取得很好的效果.超小型表面贴片型SMD晶振,最适合使用在汽车电子领域中,也是特别要求高可靠性的引擎控制用CPU的时钟部分.

石英晶振高精度晶片的抛光技术:3225贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值.从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态.村田晶振,贴片晶振,TAS-3225J晶振,XRCJH26M000F1QC1P0晶振

型号
TAS-3225J
频率
26.0000MHz
频率公差
±10ppm max. (25±3℃)
工作温度范围
-30℃ to85℃
频率温度特性
±15ppm max.
频率老化
±1ppm max./year
清洗
Not available
负载电容量
8pF
等效串联电阻(max.) 
60Ω
驱动电平(max.)
60μW
形状
SMD
村田TAS-3225J晶振系列编码

编码   型号 频率 频率公差 其他用途
XRCJH13M000F1QA0P0 TAS-3225J 13.0000MHz ±10ppm max. (25±3℃) 工业级
XRCJH16M000F1QB5P0 TAS-3225J 16.0000MHz ±10ppm max. (25±3℃) 工业级
XRCJH20M000F1QB3P0 TAS-3225J 20.0000MHz ±10ppm max. (25±3℃) 工业级
XRCJH26M000F1QC1P0 TAS-3225J 26.0000MHz ±10ppm max. (25±3℃) 工业级
XRCJH36M000F1QA1P0 TAS-3225J 36.0000MHz ±10ppm max. (25±3℃) 工业级
XRCJH40M000F1QB2P0 TAS-3225J 40.0000MHz ±10ppm max. (25±3℃) 工业级
XRCJH52M000F1QA1P0 TAS-3225J 52.0000MHz ±10ppm max. (25±3℃) 工业级

XRCJH26M000F1QC1P0 3.2_2.5

以下是石英晶振电路设计匹配问题:

一般来说.微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下:

镉和CG是外部负载电容.其中已建成的芯片组.(请参阅芯片组的规格)

Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻.它的内置芯片一般设置.

Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?.这个阻力是没有必要的公共电路.但仅用于具有高电源电路.村田晶振,贴片晶振,TAS-3225J晶振,XRCJH26M000F1QC1P0晶振

一个稳定的振荡电路需要的负电阻.其值应是晶振阻力的至少五倍.它可写为|-R|>5的Rr.

例如.为了获得稳定的振荡电路中.IC的负电阻的值必须小于?200Ω时的晶振电阻值是40Ω.负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量.在某些情况下.例如老化.热变化.电压变化.以及等等.电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的.因此.这是非常重要的衡量负电阻(-R)以下说明:

xllj


线路连接的电阻(R)与压电晶体串联

(2)从起点到振荡的停止点调整R的值.

(3)振荡期间测量R的值.

(4)你将能够获得负电阻的值.|•R|=R+的Rr.和RR=晶振的阻力.

附:所连接的电路的杂散电容.可能会影响测定值.

如果晶振的参数是正常的.但它不工作稳步振荡电路中.我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路.如果是这样的话.我们有三种方法来改善这样的情况:

降低外部电容(Cd和CG)的值.并采用其他有源晶体具有较低负载电容(CL).

采用具有较低电阻(RR)的晶振.

使用光盘和CG的不等价的设计.我们可以增加镉(XOUT)的负载电容和降低CG(辛)的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出.村田晶振,贴片晶振,TAS-3225J晶振,XRCJH26M000F1QC1P0晶振

当有信号输出从XOUT但不辛.其表示后面的功耗的情况下-电极后端电路是极其巨大的.我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间.以驱动后端电路.

但1-5的方法上面提到的.你也可以按照步骤1-4-4的三种方法.如果你的问题不能得到解决.系统无法运行.因为晶体没有足够的输出波形振幅.Japan5

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